Транзистор IRF7341PBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

120,00 руб.

Артикул: 1125977 Категории: Микросхемы, Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	120,00руб.	111,60руб.	108,00руб.	105,60руб.	102,00руб.	96,00руб.	93,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	225,60руб.	207,60руб.	204,00руб.	199,20руб.	192,00руб.	181,20руб.	176,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	229,20руб.	211,20руб.	206,40руб.	201,60руб.	192,00руб.	182,40руб.	178,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	144,00руб.	132,00руб.	129,60руб.	126,00руб.	122,40руб.	115,20руб.	111,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	208,80руб.	192,00руб.	187,20руб.	183,60руб.	177,60руб.	166,80руб.	162,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	130,80руб.	121,20руб.	117,60руб.	115,20руб.	111,60руб.	104,40руб.	102,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7341PBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]The IRF7341PBF is a 55V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Surface mount
• Dynamic dV/dt rating

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	2n-канала