2

IRF7807TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 8.3 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

85,00 руб.

x 85,00 = 85,00
Артикул: 1134346 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней85,00руб.79,05руб.76,50руб.74,80руб.69,70руб.68,00руб.66,30руб.61,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней153,85руб.141,10руб.138,55руб.135,15руб.125,80руб.123,25руб.119,85руб.107,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней198,90руб.183,60руб.179,35руб.175,10руб.163,20руб.158,95руб.155,55руб.139,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней102,00руб.93,50руб.91,80руб.89,25руб.83,30руб.81,60руб.79,05руб.71,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней196,35руб.181,05руб.176,80руб.172,55руб.167,45руб.161,50руб.153,00руб.137,70руб.

Характеристики

IRF7807TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 8.3 А, 30 В N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

8.3А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку