Заполнитель

IRFB23N20DPBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Артикул: 1134377 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

IRFB23N20DPBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В The IRFB23N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

170Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

24А