IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

59,00 руб.

Артикул: 1126070 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	59,00руб.	54,87руб.	53,10руб.	51,92руб.	48,38руб.	47,20руб.	46,02руб.	42,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	106,79руб.	97,94руб.	96,17руб.	93,81руб.	87,32руб.	85,55руб.	83,19руб.	74,93руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	138,06руб.	127,44руб.	124,49руб.	121,54руб.	113,28руб.	110,33руб.	107,97руб.	96,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	70,80руб.	64,90руб.	63,72руб.	61,95руб.	57,82руб.	56,64руб.	54,87руб.	49,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	136,29руб.	125,67руб.	122,72руб.	119,77руб.	116,23руб.	112,10руб.	106,20руб.	95,58руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB3306PBF, Транзистор N-канал 60В 160А [TO-220AB]The IRFB3306PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал