IRFB4410PBF, Транзистор, N-канал 100В 96А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

168,00 руб.

Артикул: 1126085 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	168,00руб.	156,24руб.	151,20руб.	147,84руб.	142,80руб.	134,40руб.	131,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	315,84руб.	290,64руб.	285,60руб.	278,88руб.	268,80руб.	253,68руб.	246,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	320,88руб.	295,68руб.	288,96руб.	282,24руб.	268,80руб.	255,36руб.	250,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	201,60руб.	184,80руб.	181,44руб.	176,40руб.	171,36руб.	161,28руб.	156,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	292,32руб.	268,80руб.	262,08руб.	257,04руб.	248,64руб.	233,52руб.	226,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	183,12руб.	169,68руб.	164,64руб.	161,28руб.	156,24руб.	146,16руб.	142,80руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB4410PBF, Транзистор, N-канал 100В 96А [TO-220AB]The IRFB4410PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Fast switching

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал