66

IRFH5007TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

280,00 руб.

x 280,00 = 280,00
Артикул: 1134383 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней280,00руб.260,40руб.252,00руб.246,40руб.238,00руб.224,00руб.218,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней526,40руб.484,40руб.476,00руб.464,80руб.448,00руб.422,80руб.411,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней534,80руб.492,80руб.481,60руб.470,40руб.448,00руб.425,60руб.417,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней336,00руб.308,00руб.302,40руб.294,00руб.285,60руб.268,80руб.260,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней487,20руб.448,00руб.436,80руб.428,40руб.414,40руб.389,20руб.378,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней305,20руб.282,80руб.274,40руб.268,80руб.260,40руб.243,60руб.238,00руб.

Характеристики

IRFH5007TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PQFN
Рассеиваемая Мощность

156Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

75в
Непрерывный Ток Стока

100А