IRFH6200TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 20 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

140,00 руб.

Артикул: 1134394 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	140,00руб.	130,20руб.	126,00руб.	123,20руб.	119,00руб.	112,00руб.	109,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	263,20руб.	242,20руб.	238,00руб.	232,40руб.	224,00руб.	211,40руб.	205,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	267,40руб.	246,40руб.	240,80руб.	235,20руб.	224,00руб.	212,80руб.	208,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	168,00руб.	154,00руб.	151,20руб.	147,00руб.	142,80руб.	134,40руб.	130,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	243,60руб.	224,00руб.	218,40руб.	214,20руб.	207,20руб.	194,60руб.	189,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	152,60руб.	141,40руб.	137,20руб.	134,40руб.	130,20руб.	121,80руб.	119,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFH6200TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 20 В N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PQFN
Рассеиваемая Мощность	156Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	100А