IRFL210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 960 мА, 200 В, 1.5 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

31,00 руб.

Артикул: 1134423 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	31,00руб.	28,83руб.	27,90руб.	27,28руб.	25,42руб.	24,80руб.	24,18руб.	22,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	56,11руб.	51,46руб.	50,53руб.	49,29руб.	45,88руб.	44,95руб.	43,71руб.	39,37руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	72,54руб.	66,96руб.	65,41руб.	63,86руб.	59,52руб.	57,97руб.	56,73руб.	50,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	37,20руб.	34,10руб.	33,48руб.	32,55руб.	30,38руб.	29,76руб.	28,83руб.	26,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	71,61руб.	66,03руб.	64,48руб.	62,93руб.	61,07руб.	58,90руб.	55,80руб.	50,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFL210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 960 мА, 200 В, 1.5 Ом The IRFL210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• Surface-mount
• Repetitive avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-223
Рассеиваемая Мощность	3.1Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	200В
Непрерывный Ток Стока	960мА