16

IRFR014PBF, МОП-транзистор, N Канал, 7.7 А, 60 В, 200 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

70,00 руб.

x 70,00 = 70,00
Артикул: 1134434 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней70,00руб.65,10руб.63,00руб.61,60руб.57,40руб.56,00руб.54,60руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней126,70руб.116,20руб.114,10руб.111,30руб.103,60руб.101,50руб.98,70руб.88,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней163,80руб.151,20руб.147,70руб.144,20руб.134,40руб.130,90руб.128,10руб.114,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней84,00руб.77,00руб.75,60руб.73,50руб.68,60руб.67,20руб.65,10руб.58,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней161,70руб.149,10руб.145,60руб.142,10руб.137,90руб.133,00руб.126,00руб.113,40руб.

Характеристики

IRFR014PBF, МОП-транзистор, N Канал, 7.7 А, 60 В, 200 мОм The IRFR014PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Surface-mount
• Simple drive requirements

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

7.7А