16

IRFR220PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.8 А, 200 В, 800 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

66,00 руб.

x 66,00 = 66,00
Артикул: 1134446 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней66,00руб.61,38руб.59,40руб.58,08руб.54,12руб.52,80руб.51,48руб.47,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней119,46руб.109,56руб.107,58руб.104,94руб.97,68руб.95,70руб.93,06руб.83,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней154,44руб.142,56руб.139,26руб.135,96руб.126,72руб.123,42руб.120,78руб.108,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней79,20руб.72,60руб.71,28руб.69,30руб.64,68руб.63,36руб.61,38руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней152,46руб.140,58руб.137,28руб.133,98руб.130,02руб.125,40руб.118,80руб.106,92руб.

Характеристики

IRFR220PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.8 А, 200 В, 800 мОм The IRFR220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Surface-mount
• Repetitive avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

42Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

4.8А