IRFS11N50APBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

310,00 руб.

Артикул: 1134488 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	310,00руб.	288,30руб.	279,00руб.	272,80руб.	263,50руб.	248,00руб.	241,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	582,80руб.	536,30руб.	527,00руб.	514,60руб.	496,00руб.	468,10руб.	455,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	592,10руб.	545,60руб.	533,20руб.	520,80руб.	496,00руб.	471,20руб.	461,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	372,00руб.	341,00руб.	334,80руб.	325,50руб.	316,20руб.	297,60руб.	288,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	539,40руб.	496,00руб.	483,60руб.	474,30руб.	458,80руб.	430,90руб.	418,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	337,90руб.	313,10руб.	303,80руб.	297,60руб.	288,30руб.	269,70руб.	263,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS11N50APBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 500 В The IRFS11N50APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.

• Simple drive requirements
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Effective COSS specified

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	170Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	500в
Непрерывный Ток Стока	11А