35951974e94ec415bb407adb7f4ae7b6

IRFS11N50APBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

310,00 руб.

x 310,00 = 310,00
Артикул: 1134488 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней310,00руб.288,30руб.279,00руб.272,80руб.263,50руб.248,00руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней582,80руб.536,30руб.527,00руб.514,60руб.496,00руб.468,10руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней592,10руб.545,60руб.533,20руб.520,80руб.496,00руб.471,20руб.461,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней372,00руб.341,00руб.334,80руб.325,50руб.316,20руб.297,60руб.288,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней539,40руб.496,00руб.483,60руб.474,30руб.458,80руб.430,90руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней337,90руб.313,10руб.303,80руб.297,60руб.288,30руб.269,70руб.263,50руб.

Характеристики

IRFS11N50APBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 500 В The IRFS11N50APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.

• Simple drive requirements
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Effective COSS specified

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

170Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

11А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку