61

IRFU220NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 200 В, 600 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

73,00 руб.

x 73,00 = 73,00
Артикул: 1134520 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней73,00руб.67,89руб.65,70руб.64,24руб.59,86руб.58,40руб.56,94руб.52,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней132,13руб.121,18руб.118,99руб.116,07руб.108,04руб.105,85руб.102,93руб.92,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней170,82руб.157,68руб.154,03руб.150,38руб.140,16руб.136,51руб.133,59руб.119,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,60руб.80,30руб.78,84руб.76,65руб.71,54руб.70,08руб.67,89руб.61,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней168,63руб.155,49руб.151,84руб.148,19руб.143,81руб.138,70руб.131,40руб.118,26руб.

Характеристики

IRFU220NPBF, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 200 В, 600 мОм The IRFU220NPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

43Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

5а