Заполнитель

Транзистор IRG7PH35UD1-EP, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

710,00 руб.

x 710,00 = 710,00
Артикул: 1136184 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней710,00руб.660,30руб.639,00руб.624,80руб.603,50руб.568,00руб.553,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.334,80руб.1.228,30руб.1.207,00руб.1.178,60руб.1.136,00руб.1.072,10руб.1.043,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.356,10руб.1.249,60руб.1.221,20руб.1.192,80руб.1.136,00руб.1.079,20руб.1.057,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней852,00руб.781,00руб.766,80руб.745,50руб.724,20руб.681,60руб.660,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.235,40руб.1.136,00руб.1.107,60руб.1.086,30руб.1.050,80руб.986,90руб.958,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней773,90руб.717,10руб.695,80руб.681,60руб.660,30руб.617,70руб.603,50руб.

Характеристики

IRG7PH35UD1-EP, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCo-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-247AD
Рассеиваемая Мощность

179Вт
DC Ток Коллектора

50А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку