4

Транзистор IRG7PH35UPBF, IGBT 1200В 55А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

240,00 руб.

x 240,00 = 240,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней240,00руб.223,20руб.216,00руб.211,20руб.204,00руб.192,00руб.187,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней451,20руб.415,20руб.408,00руб.398,40руб.384,00руб.362,40руб.352,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней458,40руб.422,40руб.412,80руб.403,20руб.384,00руб.364,80руб.357,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней288,00руб.264,00руб.259,20руб.252,00руб.244,80руб.230,40руб.223,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней417,60руб.384,00руб.374,40руб.367,20руб.355,20руб.333,60руб.324,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней261,60руб.242,40руб.235,20руб.230,40руб.223,20руб.208,80руб.204,00руб.

Характеристики

IRG7PH35UPBF, IGBT 1200В 55А [TO-247AC]Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac

Структура

n-канал