Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №1 10-12 дней 160,00руб. 148,80руб. 144,00руб. 140,80руб. 136,00руб. 128,00руб. 124,80руб.
Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №2 5-7 дней 300,80руб. 276,80руб. 272,00руб. 265,60руб. 256,00руб. 241,60руб. 235,20руб.
Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №3 5-7 дней 305,60руб. 281,60руб. 275,20руб. 268,80руб. 256,00руб. 243,20руб. 238,40руб.
Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №4 10 дней 192,00руб. 176,00руб. 172,80руб. 168,00руб. 163,20руб. 153,60руб. 148,80руб.
Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №5 7 дней 278,40руб. 256,00руб. 249,60руб. 244,80руб. 236,80руб. 222,40руб. 216,00руб.
Наличие Срок 1шт 20шт 50шт 100шт 1000шт 5000шт 10000шт
Склад №6 10-12 дней 174,40руб. 161,60руб. 156,80руб. 153,60руб. 148,80руб. 139,20руб. 136,00руб.
Характеристики
IRGB6B60KPBF, БТИЗ транзистор, 13 А, 1.8 В, 90 Вт, 600 В The IRGB6B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
• Square RBSOA
• Positive VCE (on) temperature coefficient
• Rugged transient performance
• Low EMI
• 10µs Short-circuit capability
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные
Нашли ошибку?
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку