52н

IRL2703PBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 30 В, 0.04 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

74,00 руб.

x 74,00 = 74,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней74,00руб.68,82руб.66,60руб.65,12руб.60,68руб.59,20руб.57,72руб.53,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней133,94руб.122,84руб.120,62руб.117,66руб.109,52руб.107,30руб.104,34руб.93,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней173,16руб.159,84руб.156,14руб.152,44руб.142,08руб.138,38руб.135,42руб.121,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней88,80руб.81,40руб.79,92руб.77,70руб.72,52руб.71,04руб.68,82руб.62,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней170,94руб.157,62руб.153,92руб.150,22руб.145,78руб.140,60руб.133,20руб.119,88руб.

Характеристики

IRL2703PBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 30 В, 0.04 Ом The IRL2703PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

45Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

24А