IRLML2402GTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 1.2 А, 20 В N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Дополнительная информация
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
540мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
1.2А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку