IRLML6302PBF, МОП-транзистор, P Канал, 600 мА, -20 В The IRLML6302PBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
• Generation V technology
• Low profile (
Дополнительная информация
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
400мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
600мА
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку