Заполнитель

IXFH40N30, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 300 В, 85 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

1.160,00 руб.

x 1.160,00 = 1.160,00
Артикул: 1134616 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.160,00руб.1.078,80руб.1.020,80руб.986,00руб.951,20руб.933,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.310,80руб.1.183,20руб.1.160,00руб.1.113,60руб.1.078,80руб.1.055,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.415,20руб.1.276,00руб.1.241,20руб.1.206,40руб.1.136,80руб.1.067,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.380,40руб.1.241,20руб.1.218,00руб.1.171,60руб.1.125,20руб.1.061,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.972,00руб.1.774,80руб.1.740,00руб.1.670,40руб.1.612,40руб.1.473,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.960,40руб.1.763,20руб.1.726,08руб.1.658,80руб.1.600,80руб.1.461,60руб.

Характеристики

IXFH40N30, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 300 В, 85 мОм The IXFH40N30 is a 300V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low inductance offers easy to drive and protect
• Fast intrinsic rectifier
• Space-saving s
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

300В
Непрерывный Ток Стока

40А