0188b8e8e254ad1c9974036a7540a8c6

IXTH40N30, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 300 В, 85 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

1.440,00 руб.

x 1.440,00 = 1.440,00
Артикул: 1134649 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.440,00руб.1.339,20руб.1.267,20руб.1.224,00руб.1.180,80руб.1.159,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.627,20руб.1.468,80руб.1.440,00руб.1.382,40руб.1.339,20руб.1.310,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.756,80руб.1.584,00руб.1.540,80руб.1.497,60руб.1.411,20руб.1.324,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.713,60руб.1.540,80руб.1.512,00руб.1.454,40руб.1.396,80руб.1.317,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.448,00руб.2.203,20руб.2.160,00руб.2.073,60руб.2.001,60руб.1.828,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.433,60руб.2.188,80руб.2.142,72руб.2.059,20руб.1.987,20руб.1.814,40руб.

Характеристики

IXTH40N30, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 300 В, 85 мОм The IXTH40N30 is a MegaMOS™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers rugged polysilicon gate cell structure and high power density. It is suitable for DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• Low RDS (ON) HDMOS™ process
• Low package inductance (

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

300В
Непрерывный Ток Стока

40А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку