IXYX100N120B3, БТИЗ транзистор, 225 А, 2.2 В, 1.15 кВт IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные
Дополнительная информация
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора
PLUS247
Рассеиваемая Мощность
1.15кВт
DC Ток Коллектора
225А
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Сообщить об ошибке на странице
Если вы хотите получить отчет об исправлении ошибки, укажите ваш e-mail