Микросхема LF356N/NOPB

Характеристики

LF356N/NOPBЭто первые операционные усилители с полевыми транзисторами с p-n переходом (JFET) на входе, которые совмещают высоковольтные JFET и стандартные биполярные транзисторы (BI-FET технология) на одной микросхеме. Они оснащены низким уровнем смещения тока на входе/низким уровнем смещения напряжения и дрейфом смещения напряжения, в сочетании с регулировкой смещения, которое не уменьшает дрейф или подавление синфазного сигнала. Операционные усилители обладают большой скоростью нарастания, широкой полосой пропускания, очень быстрым временем установления, низким уровнем шума тока и напряжения и низким уровнем фликкерного шума.

• Замена дорогим гибридным и модульным ОУ на полевых транзисторах
• Прочные ПТ с управляющими p-n переходами обеспечивают работу без перегорания
• Отлично подходит для приложений с низким шумом, используя источник с высоким или низким импедансом
• Регулировка смещения не ухудшает дрейф или подавление синфазного сигнала
• Новый выходной каскад позволяет использовать большие емкостные нагрузки без проблем со стабильностью
• Внутренняя компенсация и возможность высоких дифференциальных входных напряжений

Микросхемы / Усилители и компараторы / Операционные усилители
Корпус: 8-PDIP, инфо: Операционный усилитель, 5 МГц