214

MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

220,00 руб.

x 220,00 = 220,00
Артикул: 1123503 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней220,00руб.204,60руб.198,00руб.193,60руб.187,00руб.176,00руб.171,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней413,60руб.380,60руб.374,00руб.365,20руб.352,00руб.332,20руб.323,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней420,20руб.387,20руб.378,40руб.369,60руб.352,00руб.334,40руб.327,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней264,00руб.242,00руб.237,60руб.231,00руб.224,40руб.211,20руб.204,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней382,80руб.352,00руб.343,20руб.336,60руб.325,60руб.305,80руб.297,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней239,80руб.222,20руб.215,60руб.211,20руб.204,60руб.191,40руб.187,00руб.

Характеристики

MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Дополнительная информация

Корпус

to204aa
Структура

npn с darl
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

200
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку