11

MMBF170LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 5 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

22,00 руб.

x 22,00 = 22,00
Артикул: 1134665 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней22,00руб.20,46руб.19,80руб.19,36руб.18,04руб.17,60руб.17,16руб.15,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней39,82руб.36,52руб.35,86руб.34,98руб.32,56руб.31,90руб.31,02руб.27,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней51,48руб.47,52руб.46,42руб.45,32руб.42,24руб.41,14руб.40,26руб.36,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней26,40руб.24,20руб.23,76руб.23,10руб.21,56руб.21,12руб.20,46руб.18,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней50,82руб.46,86руб.45,76руб.44,66руб.43,34руб.41,80руб.39,60руб.35,64руб.

Характеристики

MMBF170LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 5 Ом The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.

• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

225мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

500мА
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку