MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
• -25V Drain-gate voltage
• 25V Gate-source voltage
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Дополнительная информация
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Стандарт Корпуса Транзистора
sot-23
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Сообщить об ошибке на странице
Если вы хотите получить отчет об исправлении ошибки, укажите ваш e-mail