Модуль FZ1800R12KL4C

Характеристики

Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Рассеяние мощности 11.4 KW
Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM190
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура — 40 C
Вид монтажа SMD/SMTАктуальную информацию о цене и сроках уточняйте у менеджера.