GD75PIY120C6SN_500

Модуль gd75piy120c6sn

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

11.000,00 руб.

GD75PIY120C6SN, Silicon Carbide MOSFET, Seven N Channel, Module

x 11.000,00 = 11.000,00
Артикул: 1185919 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней11.000,00руб.10.230,00руб.9.680,00руб.9.350,00руб.9.020,00руб.8.855,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней12.430,00руб.11.220,00руб.11.000,00руб.10.560,00руб.10.230,00руб.10.010,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней13.420,00руб.12.100,00руб.11.770,00руб.11.440,00руб.10.780,00руб.10.120,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней13.090,00руб.11.770,00руб.11.550,00руб.11.110,00руб.10.670,00руб.10.065,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней18.700,00руб.16.830,00руб.16.500,00руб.15.840,00руб.15.290,00руб.13.970,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней18.590,00руб.16.720,00руб.16.368,00руб.15.730,00руб.15.180,00руб.13.860,00руб.

Характеристики

IGBT Configuration PIM Three Phase Input Rectifier
DC Ток Коллектора 117А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 380Вт
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Стиль Корпуса Транзистора Module
IGBT Termination Press Fit
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
IGBT Technology Trench Field StopАктуальную информацию о цене и сроках уточняйте у менеджера.

Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку