PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223] Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, NXP Semiconductors
Bipolar Transistors
Дополнительная информация
Корпус
sot223
Структура
pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
2
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Сообщить об ошибке на странице
Если вы хотите получить отчет об исправлении ошибки, укажите ваш e-mail