Характеристики
Макс.напр.к-э,В1200Номинальный ток одиночного тр-ра,А25Структура модуля3-фазный мостТип силового модуляИнтеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц20Мощность привода, кВт3.7Драйвер управлениявстроенныйЗащита по токуестьЗащита от короткого замыканияестьЗащита от перегреванетЗащита от пониженного напряжения питанияестьНапряжение изоляции, В2500Температурный диапазон,С-20…150ПроизводительMitsubishi Electric SemiconductorIGBT модули