91

PSMN1R7-60BS, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

290,00 руб.

x 290,00 = 290,00
Артикул: 1134996 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней290,00руб.269,70руб.261,00руб.255,20руб.246,50руб.232,00руб.226,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней545,20руб.501,70руб.493,00руб.481,40руб.464,00руб.437,90руб.426,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней553,90руб.510,40руб.498,80руб.487,20руб.464,00руб.440,80руб.432,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней348,00руб.319,00руб.313,20руб.304,50руб.295,80руб.278,40руб.269,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней504,60руб.464,00руб.452,40руб.443,70руб.429,20руб.403,10руб.391,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней316,10руб.292,90руб.284,20руб.278,40руб.269,70руб.252,30руб.246,50руб.

Характеристики

PSMN1R7-60BS, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 60 В The PSMN1R7-60BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.

• High efficiency due to low switching and conduction losses
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

306Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

120А