PSMN8R7-80BS, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 80 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

98,00 руб.

Артикул: 1135043 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	98,00руб.	91,14руб.	88,20руб.	86,24руб.	80,36руб.	78,40руб.	76,44руб.	70,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	177,38руб.	162,68руб.	159,74руб.	155,82руб.	145,04руб.	142,10руб.	138,18руб.	124,46руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	229,32руб.	211,68руб.	206,78руб.	201,88руб.	188,16руб.	183,26руб.	179,34руб.	160,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	117,60руб.	107,80руб.	105,84руб.	102,90руб.	96,04руб.	94,08руб.	91,14руб.	82,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	226,38руб.	208,74руб.	203,84руб.	198,94руб.	193,06руб.	186,20руб.	176,40руб.	158,76руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

PSMN8R7-80BS, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 80 В The PSMN8R7-80BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.

• High efficiency due to low switching and conduction losses
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	170Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	90А