e8ed27bebe57139fb4fa20a59c5da7e0

RFD3055LE, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 107 мОм, 5 В, 3 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

71,00 руб.

x 71,00 = 71,00
Артикул: 1135099 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней71,00руб.66,03руб.63,90руб.62,48руб.58,22руб.56,80руб.55,38руб.51,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней128,51руб.117,86руб.115,73руб.112,89руб.105,08руб.102,95руб.100,11руб.90,17руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней166,14руб.153,36руб.149,81руб.146,26руб.136,32руб.132,77руб.129,93руб.116,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней85,20руб.78,10руб.76,68руб.74,55руб.69,58руб.68,16руб.66,03руб.59,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней164,01руб.151,23руб.147,68руб.144,13руб.139,87руб.134,90руб.127,80руб.115,02руб.

Характеристики

RFD3055LE, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 60 В, 107 мОм, 5 В, 3 ВThe RFD3055LE is a N-channel enhancement-mode Power MOSFETs manufactured using the latest manufacturing process technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. It can be operated directly from integrated circuits.

• Temperature compensating PSPICE® model
• Peak current vs. pulse width curve
• UIS Rating curve

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

38Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

11А