IGBT MODULE, 2X1700V
Transistor Type IGBT Module
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 1700V
Current Ic Continuous a Max 650A
Voltage, Vce Sat Max 2.45V
Case Style SEMiX 3s
Termination Type Screw
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1.2V
Current Ic av 650A
Current, Icm Pulsed 900A
Current, Ifs Max 2900A
Time, Rise 90ns
Voltage, Vrrm 1700VАктуальную информацию о цене и сроках уточняйте у менеджера.
Дополнительная информация
Бренд
Semikron
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Сообщить об ошибке на странице
Если вы хотите получить отчет об исправлении ошибки, укажите ваш e-mail