98fe90e4e5444f5e9c2fe2e03730fb6c

SIHG16N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

450,00 руб.

x 450,00 = 450,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней450,00руб.418,50руб.405,00руб.396,00руб.382,50руб.360,00руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней846,00руб.778,50руб.765,00руб.747,00руб.720,00руб.679,50руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней859,50руб.792,00руб.774,00руб.756,00руб.720,00руб.684,00руб.670,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней540,00руб.495,00руб.486,00руб.472,50руб.459,00руб.432,00руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней783,00руб.720,00руб.702,00руб.688,50руб.666,00руб.625,50руб.607,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней490,50руб.454,50руб.441,00руб.432,00руб.418,50руб.391,50руб.382,50руб.

Характеристики

SIHG16N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 500 В The SIHG16N50C-E3 is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• 100% Avalanche tested
• Gate charge improved
• Improved trr/Qrr

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac

Рассеиваемая Мощность

250Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500в

Непрерывный Ток Стока

16А