43

SIRA06DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

94,00 руб.

x 94,00 = 94,00
Артикул: 1135453 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней94,00руб.87,42руб.84,60руб.82,72руб.77,08руб.75,20руб.73,32руб.67,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней170,14руб.156,04руб.153,22руб.149,46руб.139,12руб.136,30руб.132,54руб.119,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней219,96руб.203,04руб.198,34руб.193,64руб.180,48руб.175,78руб.172,02руб.154,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней112,80руб.103,40руб.101,52руб.98,70руб.92,12руб.90,24руб.87,42руб.78,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней217,14руб.200,22руб.195,52руб.190,82руб.185,18руб.178,60руб.169,20руб.152,28руб.

Характеристики

SIRA06DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В The SIRA06DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, high power density DC-to-DC, VRMs and embedded DC-to-DC applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность

62.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

40А