10

Транзистор STGF6NC60HD

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

100,00 руб.

x 100,00 = 100,00
Артикул: 1128625 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней100,00руб.93,00руб.90,00руб.88,00руб.85,00руб.80,00руб.78,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней188,00руб.173,00руб.170,00руб.166,00руб.160,00руб.151,00руб.147,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней191,00руб.176,00руб.172,00руб.168,00руб.160,00руб.152,00руб.149,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней120,00руб.110,00руб.108,00руб.105,00руб.102,00руб.96,00руб.93,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней174,00руб.160,00руб.156,00руб.153,00руб.148,00руб.139,00руб.135,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней109,00руб.101,00руб.98,00руб.96,00руб.93,00руб.87,00руб.85,00руб.

Характеристики

STGF6NC60HDThe STGF6NC60HD is a very fast N-channel PowerMESH™ IGBT for use with SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.

• Low on voltage drop (Vcesat)
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• High frequency operation

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220FP, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W