TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• PNP complementary type is TIP117
Дополнительная информация
Корпус
to220ab
Структура
npn с darl
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
500
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
50
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Сообщить об ошибке на странице
Если вы хотите получить отчет об исправлении ошибки, укажите ваш e-mail