Устройства GaN и SiC обеспечивают работу семейства ноутбуков с искусственным интеллектом

Компания Navitas Semiconductor объявила о внедрении своих технологий питания GaNFast и GeneSiC в семейство адаптеров для ноутбуков Dell мощностью от 60 Вт до 360 Вт.

Обладая более чем 20-летним лидерством в области технологий SiC, компания GeneSiC лидирует по производительности SiC MOSFET с запатентованной технологией «trench-assisted planar» и SiC-диодами GeneSiC 5-го поколения, обеспечивающими высокую скорость и эффективность благодаря фирменной технологии «low-knee» для работы при низкой температуре.

Силовые интегральные схемы GaNFast компании обеспечивают высокочастотное и высокоэффективное преобразование энергии, позволяя достигать в 3 раза большей мощности и в 3 раза более быстрой зарядки при вдвое меньших размерах и весе по сравнению с предыдущими конструкциями с устаревшими кремниевыми силовыми устройствами.

Технология GaN и SiC компании позволяет Dell обеспечивать высокоскоростную зарядку с наивысшей эффективностью, самой низкой температурой, наименьшим размером и наименьшим количеством материалов. Последняя линейка ноутбуков с ИИ от Dell включает в себя NPU и специализированные движки ИИ для управления устойчивым ИИ и разгрузкой ИИ. Это дополняет ее портфолио как самое широкое предложение адаптеров GaN для ноутбуков.

Новые адаптеры также помогут Dell достичь своих передовых целей в области устойчивого развития, уделяя особое внимание сокращению выбросов CO2 и сокращению потребления энергии. Корпуса адаптеров требуют на 50% меньше пластика и изготавливаются из переработанных материалов, что значительно сокращает потери энергии и улучшает использование ресурсов. Технологии GaNFast и GeneSiC от Navitas повышают уровень системной интеграции и частоту переключения, что уменьшает количество компонентов и размер, что приводит к «дематериализации», которая снижает углеродный след в процессах производства, упаковки и логистики. Каждая отгруженная силовая микросхема GaNFast экономит 4 кг CO2, а каждый отгруженный SiC MOSFET экономит 25 кг CO2 по сравнению с устаревшими кремниевыми силовыми микросхемами.

«С тех пор как первый адаптер GaN от Dell был реализован Navitas в 2020 году, мы тесно сотрудничали с инженерами Dell для дальнейшего улучшения скорости зарядки, эффективности, размера, веса, а теперь и воздействия на окружающую среду», — сказал Джин Шеридан, генеральный директор и соучредитель Navitas. «Новые адаптеры Dell — это оптимальное решение для скорости, портативности и устойчивости. Наши клиенты добиваются беспроигрышного варианта как для рынка, так и для окружающей среды, развертывая силовые ИС Navitas GaNFast и силовые устройства GeneSiC».